1. Torrwch yr ingot vanadium purdeb gofynnol yn ôl y maint targed gan ddefnyddio peiriant llifio llorweddol, cynheswch 450-500 gradd , yna ffugiwch, a rheolwch gyfradd anffurfio cyfanswm y gofannu i 70-80%;
2. Anelwch yr ingot fanadium ffug ar dymheredd o 400-500 gradd ac amser dal o 60-120munud, ac yna ei oeri trwy aer oeri;
3. Rholiwch yr ingot fanadium annealed, a rheolwch swm gwasgu pob tocyn i 0.5-1mm, a rheoli cyfanswm yr anffurfiad i 70-80%, nes bod y targed fanadiwm yn wag o'r diamedr a thrwch gofynnol yn cael ei sicrhau;
4.Anelwch y targed vanadium wedi'i rolio'n wag eto ar dymheredd o 450-550 gradd ac amser dal o 90-150munud. Ar ôl anelio eto, rhowch ddŵr i oeri i gael y targed fanadiwm purdeb uchel yn wag.
Mae'r gwag targed fanadiwm a baratowyd yn y modd hwn nid yn unig yn meddu ar strwythur mewnol unffurf, ond mae ganddo hefyd fantais grawn mân.
Mae'n ofynnol i'r deunydd targed fod o burdeb uchel, llai o amhureddau, cyfansoddiad cemegol unffurf, dim arwahanu, dim mandyllau, strwythur grawn unffurf, a maint grawn o lefel micromedr i milimedr. Mae angen i'r gwahaniaeth maint grawn mewn un targed sputtering fod mor fach â phosibl. Yn y modd hwn, nid yw'n hawdd cynhyrchu ffenomen rhyddhau mewn sputtering magnetron, ac mae'r ffilm sputtering magnetron yn unffurf.
Cymhwyso targed fanadiwm
Defnyddir ym meysydd ynni'r haul, arddangosfeydd panel gwastad, electroneg a lled-ddargludyddion, megis cylchedau integredig, metallization backplane, optoelectroneg a chymwysiadau eraill.
